BIOS. Экспресс-курс - Антон Трасковский

В некоторых версиях BIOS опция может иметь название DRAM Auto Configuration или Auto Configure EDO DRAM Tim.

•  Bank 0//5 DRAM Timing

Опция позволяет изменять правила доступа к оперативной памяти. Менять значение следует только в крайнем случае (например, на экран монитора постоянно выводятся сообщения о возникновении фатальной ошибки).

•  CAS# Latency

Опция позволяет устанавливать минимальное количество циклов тактового сигнала от момента запроса данных сигналом CAS (фактически это команда чтения) до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля памяти. Меньшее значение увеличивает производительность системы (примерно на 1–2 %), но увеличивает вероятность появления признаков нестабильной работы.

Может принимать значения:

– 2Т( или 2 Clks)  – два такта. Рекомендуется устанавливать для модулей SDRAM со временем доступа 10 не и меньше;

– 3T( или 3 Clks)  – три такта. Устанавливается по умолчанию.

В некоторых версиях BIOS встречается название CAS# Latency Clocks. При использовании модулей памяти SDRAM опция может называться SDRAM CAS# Latency, SDRAM CAS# Latency Time.

•  CAS# Pulse Width

Опция позволяет устанавливать длительность сигнала CAS# в тактах системной шины.

Может принимать значения:

– 1Т – один системный такт;

– 2Т — два системных такта.

Некоторые BIOS предоставляют сразу две аналогичные опции Write CAS# Pulse Width и Read CAS# Pulse Width с такими же значениями.

•  CPU-to-DRAM Page Mode

Опция позволяет включить режим, когда контроллер памяти после доступа к странице оперативной памяти на некоторое время оставляет ее открытой на случай повторного обращения к ней. При отключении данного режима страница памяти после доступа закрывается, что несколько снижает производительность работы оперативной памяти.

Ряд возможных значений этой опции довольно разнообразен:

– Use Paging и No Paging, Always Open и Closes, Page Closes, Stays Open и Closes If Idle, Normal и Disabled — все эти значения аналогичны по действию и встречаются в различных версиях BIOS.

В некоторых версиях BIOS могут встретиться названия DRAM Page Mode, DRAM Paging, DRAM Paging Mode, SDRAM Page Control (для памяти типа SDRAM).

Иногда встречаются опции, позволяющие сохранять страницу памяти открытой, несмотря на отключенную функцию CPU-to-DRAM Page Mode. Это становится возможным благодаря специальному режиму контроллера памяти, который позволяет некоторое время сохранять в буфере информацию о последних открытых страницах памяти. Данный режим реализован в опциях DRAM Enhanced Paging, Enhanced Page Mode, Enhanced Paging.

•  CPU/Memory Frequency Ratio

Опция позволяет изменять соотношение рабочей частоты шины памяти и тактовой частоты центрального процессора. Функция имеется в BIOS материнских плат, поддерживающих асинхронный режим работы процессора и оперативной памяти.

Может принимать значения:

– Auto — автоматическая установка соотношения;

– 1:1 — рабочая частота модулей памяти равна тактовой частоте процессора;

– 3:4 — для тактовой частоты процессора 100 МГц рабочая частота модулей оперативной памяти будет составлять 133 МГц.

•  DRAM Clock

Опция позволяет установить рабочую частоту модулей оперативной памяти.

Может принимать значения:

– Host CLK — частота работы модулей памяти равна тактовой частоте системной шины. При разгоне рабочая частота памяти будет повышаться вместе с тактовой частотой системной шины;

– 66 MHz — фиксированное значение рабочей частоты модулей памяти.

В некоторых версиях BIOS может встретиться название DRAM Speed.

•  DRAM Data Integrity Mode

Опция позволяет системе отслеживать и корректировать однобитные ошибки в оперативной памяти. Также будут обнаруживаться и более сложные ошибки, но исправляться они не будут. Использование данной функции возможно только в случае установки модулей памяти, поддерживающих режим коррекции ошибок ЕСС.

Может принимать значения:

– ЕСС — коррекция разрешена. Обеспечивает увеличение стабильности работы системы (правда, при небольшой потере производительности). Рекомендуется, если компьютер используется для обработки и хранения очень важной информации, т. к. позволяет своевременно выявить проблемы с памятью. Значение устанавливается по умолчанию;

– Non-ECC — коррекция запрещена. Рекомендуется, когда на первом месте стоит скорость работы, а не стабильность.

В некоторых версиях BIOS опция может означать другую функцию и, соответственно, будет принимать значения: Parity (контроль четности) или ЕСС (коррекция ошибок).

•  DRAM ECC/Parity Select

Опция позволяет выбрать режим коррекции ошибок/контроля четности. Этот параметр содержится только в BIOS тех материнских плат, чипсет которых поддерживает модули памяти с коррекцией ошибок (например, 440HX/FX/LX), и может использоваться только при установке соответствующих модулей памяти. Изменение значения этого параметра возможно только при активации параметра Data Integrity (PAR/ECC) или аналогичного.

Может принимать значения:

– Parity — в случае возникновения ошибки на экран монитора выдается сообщение о сбое четности в памяти, и работа компьютера останавливается. Значение устанавливается по умолчанию;

– ЕСС — в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется, и работа компьютера продолжается. В случае появления множественных ошибок работа компьютера приостанавливается с выводом на экран монитора соответствующего сообщения. При выборе этого значения скорость работы оперативной памяти замедляется примерно на 3 %.

•  DRAMInterleave Mode

Опция позволяет реализовать режим "чередования" адресов. Функция основана на предположении, что чаще всего доступ осуществляется к некоторому массиву последовательных адресов. Данный режим позволяет значительно увеличить производительность оперативной памяти. Конкретное значение выбирается в зависимости от типа применяемых модулей памяти.

Может принимать значения:

– Banks 0+1 — режим включен для банков памяти с номерами 0 и 1;

– Banks 2+3 — режим включен для банков памяти с номерами 2 и 3;

– Both — режим включен для всех имеющихся банков памяти;

– No Interleave — функция отключена.

При использовании синхронной памяти опция будет иметь название SDRAM Bank Interleave и значения: Disabled, 2 Banks и 4 Banks.

•  DRAM Page Idle Timer

Опция позволяет устанавливать время в тактах системной шины до закрытия всех открытых страниц памяти. Функция появилась еще во времена FPM-модулей и сохранила актуальность до сих пор.

Может принимать значения:

– 1T – до закрытия открытых страниц памяти выжидается один системный такт;

– 2Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается два системных такта;

– 4Т – до закрытия открытых страниц памяти выжидается четыре системных такта;

– 8Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается восемь системных тактов.

Для увеличения быстродействия устанавливаются меньшие значения задержки, но при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант подбирается опытным путем.

В некоторых версиях BIOS опция может называться Paging Delay или DRAMIdle Timer.

•  DRAM R/WLeadoff Timing

Опция позволяет устанавливать время доступа к оперативной памяти в зависимости от используемого модуля памяти. Если быть более точным, то устанавливается число тактов на системной шине до выполнения любых операций с памятью.

Может принимать значения:

– 8/7 — восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;

– 7/5 — семь тактов для чтения и пять тактов для записи данных. В некоторых версиях BIOS можно встретить другие значения:

– 5 — обычно устанавливается только при работе с EDO DRAM со временем доступа 50 нс и меньше (или SDRAM со временем доступа 10 нс);

– 6 — устанавливается для модулей EDO DRAM со временем доступа 60 нс.

•  DRAM Read Burst Timing

Опция позволяет устанавливать задержку при работе с оперативной памятью. Запрос на чтение или запись генерируется процессором не одним байтом, а сразу 4 или 8 последовательными длинными словами в строке. Это ускоряет операции с памятью, т. к. адрес передается один раз, и в дальнейшем происходит чтение или запись данных, относящихся к одной строке. В циклах чтения это выглядит как х-у-у-у для режима Normal Burst или как x-y-y-y-z-y-y-y для режима Back-to-Back Burst. Для оперативной памяти эти цифры не являются строго определенными и могут варьировать в зависимости от ее типа и скорости. Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие. Слишком малые значения могут привести к нестабильной работе памяти и, соответственно, к потере данных.